完整后设资料纪录
| DC 栏位 | 值 | 语言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 陈冠能 | en_US |
| dc.contributor.author | 张耀仁 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2015-12-04T07:03:36Z | - |
| dc.date.available | 2015-12-04T07:03:36Z | - |
| dc.date.issued | 2015-12-01 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L023/52 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/768 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/128817 | - |
| dc.description.abstract | 一种半导体元件之内连接结构，架构于一半导体基材内，该内连接结构包括：一第一矽晶直通孔，贯穿该半导体基材；以及一第二矽晶直通孔，贯穿该半导体基材，该第一矽晶直通孔与该第二矽晶直通孔相互间隔一距离，其中，该第一矽晶直通孔与该第二矽晶直通孔相互电性绝缘，且该距离介于2μm以及40μm之间。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 半导体元件之内连接结构 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I511257 | zh_TW |
| 显示于类别： | Patents | |
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