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dc.contributor.author陈冠能en_US
dc.contributor.author张耀仁en_US
dc.date.accessioned2015-12-04T07:03:36Z-
dc.date.available2015-12-04T07:03:36Z-
dc.date.issued2015-12-01en_US
dc.identifier.govdocH01L023/52zh_TW
dc.identifier.govdocH01L021/768zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/128817-
dc.description.abstract一种半导体元件之内连接结构,架构于一半导体基材内,该内连接结构包括:一第一矽晶直通孔,贯穿该半导体基材;以及一第二矽晶直通孔,贯穿该半导体基材,该第一矽晶直通孔与该第二矽晶直通孔相互间隔一距离,其中,该第一矽晶直通孔与该第二矽晶直通孔相互电性绝缘,且该距离介于2μm以及40μm之间。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title半导体元件之内连接结构zh_TW
dc.typePatentsen_US
dc.citation.patentcountryTWNzh_TW
dc.citation.patentnumberI511257zh_TW
显示于类别:Patents


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  1. I511257.pdf

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