統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Valence-band tunneling induced low frequency noise in ultrathin oxide (15 angstrom) n-type metal-oxide-semiconductor field effect transistors | 118 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Valence-band tunneling induced low frequency noise in ultrathin oxide (15 angstrom) n-type metal-oxide-semiconductor field effect transistors | 0 | 0 | 0 | 2 | 1 | 3 | 4 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000225300600083.pdf | 5 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 96 |
| 美國 | 15 |
| 巴西 | 2 |
| 台灣 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 96 |
| Menlo Park | 9 |
| Buffalo | 3 |
| Kensington | 2 |
| Dallas | 1 |