高速互補式金氧半元件之設計考慮

Abstract

本文研究通道離子佈植濃度對通道內載子分佈之關係，並將這種關係引進通道內載子 遷移率的理論模式內，可以得到一個較完整和準確的載子遷移率計算模式。同時也研 究離子佈植濃度對載子遷移率的最佳化分佈，藉此而得到較高的載子遷移率。實驗結 果顯示修正後的載子遷率模式，與測量的數值誤差在百分之三以內。 此外，本文也提出一種新的尺度縮小法則，並且利用修正後的載子遷移率模式評估元 件尺度縮小後，傳統的縮小法則－等電場，等電壓及準等電壓三種與新的尺度的縮小 法則載子遷移率與飽合電流的差異。最後並以持續合成與分析（TISA）之電路分析程 式證實新的尺度縮小法則具有較快的速度表現，可以滿足高速互補式金氧半元件的設 計要求。