統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| 鍺離子佈植技術應用於淺接面製作產生的晶體缺陷之退火行為及其消除方法和低壓化學沉積矽薄膜磊晶之研究 | 142 |
本月總瀏覽
| 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | 一月 2026 | 二月 2026 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 鍺離子佈植技術應用於淺接面製作產生的晶體缺陷之退火行為及其消除方法和低壓化學沉積矽薄膜磊晶之研究 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 6 | 0 |
檔案下載
| 檢視 |
|---|
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 93 |
| 美國 | 22 |
| 台灣 | 17 |
| 越南 | 5 |
| 香港 | 1 |
| 愛爾蘭 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 91 |
| Menlo Park | 11 |
| Keelung | 7 |
| Taipei | 7 |
| Kensington | 5 |
| Hanoi | 4 |
| Beijing | 2 |
| Kirksville | 2 |
| Edmond | 1 |
| Hai Phong | 1 |