完整后设资料纪录
DC 栏位 | 值 | 语言 |
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dc.contributor.author | 陈诚风 | en_US |
dc.contributor.author | Cheng-Feng Chen | en_US |
dc.contributor.author | 陈智 | en_US |
dc.contributor.author | Chih Chen | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T03:06:01Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T03:06:01Z | - |
dc.date.issued | 2006 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009418533 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/81179 | - |
dc.description.abstract | 覆晶封装是目前在高电流密度IC元件上的重要封装之一。然而随着消费电子产品微小化与可携带性的趋势,焊锡接点的尺寸势必随之缩小,因此电迁移(electromigration)在可靠度的议题上将扮演重要的角色。然而随着焊锡接点的缩小,IMC在bump中所占的比例将随之上升,且由于IMC有较好的抗电迁移性质,因此IMC的存在将对bump的lifetime有重要的影响。在本篇论文中,我们将利用FIB来制备具有不同stripe长度的Sn-Cu介金属化合Blech structure,并且在225、250℃,真空度2.3×10-3torr的环境下施以~104 A/cm2以上的电流密度,藉由观察每条stripe是否有电迁移破坏,来求出Sn-Cu介金属化合的critical product。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 电迁移 | zh_TW |
dc.subject | Cu6SN5 | zh_TW |
dc.subject | 介金属化合物 | zh_TW |
dc.subject | electromigration | en_US |
dc.subject | Cu6SN5 | en_US |
dc.subject | IMC | en_US |
dc.title | Sn-Cu介金属化合物的电迁移 | zh_TW |
dc.title | Electromigration of Sn-Cu intermetallic compounds | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 材料科学与工程学系 | zh_TW |
显示于类别: | Thesis |
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