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dc.contributor.author陳誠風en_US
dc.contributor.authorCheng-Feng Chenen_US
dc.contributor.author陳智en_US
dc.contributor.authorChih Chenen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T03:06:01Z-
dc.date.available2014-12-12T03:06:01Z-
dc.date.issued2006en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009418533en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/81179-
dc.description.abstract覆晶封裝是目前在高電流密度IC元件上的重要封裝之一。然而隨著消費電子產品微小化與可攜帶性的趨勢，銲錫接點的尺寸勢必隨之縮小，因此電遷移(electromigration)在可靠度的議題上將扮演重要的角色。然而隨著銲錫接點的縮小，IMC在bump中所佔的比例將隨之上升，且由於IMC有較好的抗電遷移性質，因此IMC的存在將對bump的lifetime有重要的影響。在本篇論文中，我們將利用FIB來製備具有不同stripe長度的Sn-Cu介金屬化合Blech structure，並且在225、250℃，真空度2.3×10－3torr的環境下施以~104 A/cm2以上的電流密度，藉由觀察每條stripe是否有電遷移破壞，來求出Sn-Cu介金屬化合的critical product。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject電遷移zh_TW
dc.subjectCu6SN5zh_TW
dc.subject介金屬化合物zh_TW
dc.subjectelectromigrationen_US
dc.subjectCu6SN5en_US
dc.subjectIMCen_US
dc.titleSn-Cu介金屬化合物的電遷移zh_TW
dc.titleElectromigration of Sn-Cu intermetallic compoundsen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department材料科學與工程學系zh_TW
显示于类别：Thesis


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