完整后设资料纪录
DC 栏位 | 值 | 语言 |
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dc.contributor.author | 陳誠風 | en_US |
dc.contributor.author | Cheng-Feng Chen | en_US |
dc.contributor.author | 陳智 | en_US |
dc.contributor.author | Chih Chen | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T03:06:01Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T03:06:01Z | - |
dc.date.issued | 2006 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009418533 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/81179 | - |
dc.description.abstract | 覆晶封裝是目前在高電流密度IC元件上的重要封裝之一。然而隨著消費電子產品微小化與可攜帶性的趨勢,銲錫接點的尺寸勢必隨之縮小,因此電遷移(electromigration)在可靠度的議題上將扮演重要的角色。然而隨著銲錫接點的縮小,IMC在bump中所佔的比例將隨之上升,且由於IMC有較好的抗電遷移性質,因此IMC的存在將對bump的lifetime有重要的影響。在本篇論文中,我們將利用FIB來製備具有不同stripe長度的Sn-Cu介金屬化合Blech structure,並且在225、250℃,真空度2.3×10-3torr的環境下施以~104 A/cm2以上的電流密度,藉由觀察每條stripe是否有電遷移破壞,來求出Sn-Cu介金屬化合的critical product。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 電遷移 | zh_TW |
dc.subject | Cu6SN5 | zh_TW |
dc.subject | 介金屬化合物 | zh_TW |
dc.subject | electromigration | en_US |
dc.subject | Cu6SN5 | en_US |
dc.subject | IMC | en_US |
dc.title | Sn-Cu介金屬化合物的電遷移 | zh_TW |
dc.title | Electromigration of Sn-Cu intermetallic compounds | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 材料科學與工程學系 | zh_TW |
显示于类别: | Thesis |
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