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dc.contributor.author陈诚风en_US
dc.contributor.authorCheng-Feng Chenen_US
dc.contributor.author陈智en_US
dc.contributor.authorChih Chenen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T03:06:01Z-
dc.date.available2014-12-12T03:06:01Z-
dc.date.issued2006en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009418533en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/81179-
dc.description.abstract覆晶封装是目前在高电流密度IC元件上的重要封装之一。然而随着消费电子产品微小化与可携带性的趋势，焊锡接点的尺寸势必随之缩小，因此电迁移(electromigration)在可靠度的议题上将扮演重要的角色。然而随着焊锡接点的缩小，IMC在bump中所占的比例将随之上升，且由于IMC有较好的抗电迁移性质，因此IMC的存在将对bump的lifetime有重要的影响。在本篇论文中，我们将利用FIB来制备具有不同stripe长度的Sn-Cu介金属化合Blech structure，并且在225、250℃，真空度2.3×10－3torr的环境下施以~104 A/cm2以上的电流密度，藉由观察每条stripe是否有电迁移破坏，来求出Sn-Cu介金属化合的critical product。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject电迁移zh_TW
dc.subjectCu6SN5zh_TW
dc.subject介金属化合物zh_TW
dc.subjectelectromigrationen_US
dc.subjectCu6SN5en_US
dc.subjectIMCen_US
dc.titleSn-Cu介金属化合物的电迁移zh_TW
dc.titleElectromigration of Sn-Cu intermetallic compoundsen_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department材料科学与工程学系zh_TW
显示于类别：Thesis


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