分子束磊晶所長III-V氮化合物半導體之光電研究

标题:	分子束磊晶所长III-V氮化合物半导体之光电研究 An Optical Study of III-V Nitride Semiconductor Quantum Structures Grown by MBE
作者:	黄凯风 HUANG KAI-FENG 交通大学电子物理系
关键字:	氮化合物;分子束磊晶;异质结构;二维电子气;量子结构;Nitride;Molecular beam epitaxy;Heterostructure;Two-dimension electronic gas;Quantum effect
公开日期:	1999
官方说明文件#:	NSC88-2112-M009-029
URI:	http://hdl.handle.net/11536/94395 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=426214&docId=76107
显示于类别：	Research Plans

APA	黄., & HUANG K. (1999). 分子束磊晶所长III-V氮化合物半导体之光电研究. https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=426214&docId=76107.
Bibtex	@article{1999, title={分子束磊晶所长III-V氮化合物半导体之光电研究}, author={黄凯风 and HUANG KAI-FENG}, journal={https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=426214&docId=76107}, year={1999}, url={http://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/94395?locale=zh_CN}, }