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Issue Date | Title | Author(s) |
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1-Apr-2007 | 具有防止源汲極區摻雜離子在接面區外擴散的電晶體結構及其製作方法 | 羅廣禮; 楊宗; 張翼; 張俊彥 |
16-Apr-2009 | 於半導體基板上形成三族氮化物半導體層的方法 | 張俊彥; 楊宗; 沈詩國 |
16-Feb-2009 | 於矽基板上形成三族氮化物半導體磊晶層的方法 | 張俊彥; 楊宗; 張哲榮; 辜瑞泰; 沈詩國; 陳怡誠 |
16-Sep-2007 | 在矽(110)基板上設有壓縮應變矽鍺通道之N型金氧半電晶體架構 | 羅廣禮; 簡昭欣; 楊宗 |
1-Feb-2005 | 在矽鍺磊晶片上成長砷化鎵磊晶之方法 | 張翼; 羅廣禮; 楊宗; 張俊彥 |
1-Feb-2005 | 在矽晶片上成長鍺薄膜之方法 | 羅廣禮; 楊宗; 張俊彥; 張翼 |
1-Dec-2008 | 在矽(110)基板上設有壓縮應變矽鍺通道之N型金氧半電晶體架構 | 羅廣禮; 簡昭欣; 楊宗; 張俊彥 |
11-Sep-2004 | 在矽晶片上成長鍺薄膜之方法 | 羅廣禮; 楊宗; 張俊彥; 張翼 |
21-Aug-2006 | 具有防止源汲極區摻雜離子在接面區外擴散的電晶體結構及其製作方法 | 羅廣禮; 楊宗; 張翼; 張俊彥 |
11-Sep-2004 | 在矽鍺磊晶片上成長砷化鎵磊晶之方法 | 張翼; 羅廣禮; 楊宗; 張俊彥 |