標題: 應用金屬壓印方式來進行奈米碳管擇區生長之方法及其產生之結構
作者: 吳耀銓
趙志偉
侯智元
公開日期: 11-六月-2004
摘要: 本案乃關於利用金屬壓印方式來進行奈米碳管擇區生
長的方法與其產生之結構,其中擇區生長之步驟包含:提
供一第一基板,並於該第一基板上形成一第一遮蔽層;以
一黃光微影技術處理該第一遮蔽層以形成複數個區域於該
第一基板。接著以一緩衝溶液對該複數個特定區域進行一
第一蝕刻以形成一第二遮蔽層於該第一基板,再以一化學
蝕刻液對該第一基板與該第二遮蔽層進行一第二蝕刻以形
成複數個尖型結構於該第一基板上。此後可分兩方式進
行,方式一為:先塗覆一金屬觸媒於該複數個尖型結構,
接著以該複數個尖型結構壓印於一第二基板,最後再將被
壓印之該第二基板進行奈米碳管生長;方式二則為:先塗
附一金屬觸媒於一第三基板,再以該複數個尖型結構壓印
該第三基板以使該複數個尖型結構分別帶有一金屬觸媒
球;最後再將該第一基板進行奈米碳管生長。
五、(一)、本案代表圖為:第 七 圖
(二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明:
61:第一金屬觸媒球 7:第二矽基板
71:壓印痕 8:第一奈米碳管
官方說明文件#: C01B031/02
C01B031/02
URI: http://hdl.handle.net/11536/106436
專利國: TWN
專利號碼: 00590985
顯示於類別:專利資料


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