標題: 具有佈植通道的短通道MOSFET電流-電壓模式
作者: 林讚西
LIN, ZAN-XI
莊紹勳
ZHUANG, SHAO-XUN
電子研究所
關鍵字: 佈植通道;短通道;MOSFET電流-電壓;MOS 電晶體;二次通道佈植;參數擷取法
公開日期: 1987
摘要: 隨著MOS 電晶體技術的進步,由於通道縮短產生的短通道效應與為了提高元件特性所 使用的二次通道佈植的影響,傳統的MOS 電晶體的電性模式已不敷應用於現代化電路 分析上,吾人必須建立新的模式才能滿足此一需求。 本論人提出一新的以製程為導向的MOS 電晶體電流-電壓模式,並建立一套新的模式 參數擷取法。本模式適用於具有佈植通道的短通道MOS 電晶體,其內容包括元件工作 在次臨界區,線性區及飽和區的電流-電壓公式,除此之外,其最大的特色在於所使 用的參數擷取法可適用於各種不同元件結構與佈植狀況的MOS 電晶體。 為了驗證模式的準性,吾人對一組具有二次通道佈植的元件做電性測試,其結果與模 式預測的結果相當□合,證實了本模式的適用性。另一方面,由於本模式所使用的公 式皆呈相當簡單的形式,很容易被建立在SPICE2 中供做準確的電路模擬與分析的應 用。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT762430027
http://hdl.handle.net/11536/53411
顯示於類別:畢業論文