鉻輿鈦鎢擴散障壁對N型砷化鎵熱穩定歐姆接觸之影響

Abstract

本論文對N 型砷化鎵歐姆接觸做了各種組成的電性及微細結構上的研究，這些組成包 含了以下的型式：Au/Ge/GaAs，Au/Pt/Ge/GaAs，Au/Cr/Ge/GaAs，及Au/Ti/W/Au/Ge/ GaAs。其中介于於上層Au及下層Au/Ge 之間的Cr和TiW 主要是扮演擴散障壁的角色， 為了比較起見，夾Pt以及不夾任何中間層的結構也同時研究。 電性方面的量測是採用標準TLM 方法，為了進一步了解各種歐姆接觸的熱穩定性，我 們也做了長時間處理測試，實驗結果顯示Au/Ti/W/Au/Ge 結構不需要很嚴格的熱處理 條件即可得到較低的接觸電阻，較好的表面，且最穩定。而 Au/Cr/Au/Ge結構的接觸 電阻也很低，但是它的表面及熱穩定性都較差。另一接觸結構 Au/Pt/Au/Ge有很平滑 且均勻的表面，但是唯有熱處理的時間較長, 溫度較高, 此結構的接觸電阻才會較低 , 而它的熱穩定性也比夾擴散障壁的結構差。至於不夾任何中間層的結構 Au/Ge，它 的電性及物性都是所有結構中最差的。 另一方面，穿透式電子顯微鏡，X 光繞射用Auaer 表面分析被嘗試用來解釋本實驗的 電性結果。