第二型斷帶能隙異質接合結構中基於緊束縛漢彌爾頓之帶間電子傳遞

Abstract

本論文以S 及P 軌域為基底，用緊束縛漢彌爾頓近似法導出遷移矩陣進而引緊束縛帶 間電子穿隊模型，對於單位障結構的峰值電流密度，我們的理論計算與實結果相符合 。因此我們可用此模型來探討電子在砷化銦－銻化錠異質接合帶間穿隊結構中之傳導 特性以及物理機制。我們主要在探討以砷化銦替代銻化錠位井傳統銻化鋁位障之結構 特性，這些特性包括微分負電阻，電流密度－偏壓關係以及在不同接合材料中電子出 現在導帶和價帶之相對機率變化。藉著改變砷化銦的厚度觀察峰值電流密度的變化， 我們發現有同調共振發生這表示砷化銦層可作為等效位障。由計算所得到的峰值電流 密度與實驗數值都具有相當程度的符合，更支持了此結構產生同調共振效應的觀點。