利用脈衝式雷射蒸鍍法製作硫化錳鎘薄膜及無外加磁場下之光學性質的研究

Abstract

利用脈衝式雷射蒸鍍技術製作硫化錳鎘薄膜。找們使用不同的脈衝雷射能量、基板溫 度、及靶材來成長硫化錳鎘薄膜。 我們使用X 光繞射儀(XRD) 、掃描電子顯微鏡(SEM) 及能量散射分析儀(EDAX)來分析 薄膜的結構及成份。由XRD 的結果可知道所鍍的薄膜是高方向性的結構。比較EDAX的 結2困及參考文獻，我們無法將錳在薄膜中的成份比做定量的量測。 由吸收光譜可獲得薄膜的能隙。當錳的成份改變時，硫化錳鎘薄膜的能隙亦隨著改變 。所呈現的變化有高硫化鎘的能隙（於室溫為2.42電子伏特），也有降低的結果。以 拉曼光譜可觀察我們的樣品及單晶對於縱向及橫向光支聲子頻率均有混合模式(mixed -mode)的現象。綜合吸收光譜及拉曼光譜的結果，所觀察到的變化可歸因於錳已取代 部分的鎘進入硫化鎘的結構中所產生的影響。