磷化銦高能隙材料能障研究
Abstract
本計畫擬以AlAsSb/InP結構,提昇InP材料肖特基 能障.長久以來InP因本身與金屬介面的費米能 階針扎效應(Fermi-pinning)造成能障過低,致使其 肖特基元件性能不佳.一般而言,較高能隙常較 易獲得較高的肖特基能障.而AlAsSb是InP材料系 列中最高能隙半導體,若以AlAsSb作為金屬與半 導體之中介層,應可有效提昇InP肖特基特性. AlAsSb雖屬熱力學晶體禁制區材料(Miscibillity gap) ,磊晶條件狹窄,但本實驗室已成功以MOCVD合成AlAsSb薄膜.在計畫過程中,將深入探討如何降低 薄膜背景濃度,尤其是AlAsSb表面清洗技術,事關 Schottky特性之良寙,以及適合的肖特基金屬蒸鍍 材料,以尋求適當的InP肖特基結構.