以高分子作為感應偶合電漿反應離子蝕刻側壁保護層以製作單晶矽懸浮微結構之快速製程平台研發

Files

1002221E009034.PDF (4.03 MB)

Date

Authors

Keywords

感應耦合電漿 , 乾蝕刻 , 高分子 , 保護層 , 懸浮 , 單晶矽 , ICP , dry etching , polymer , passivation , suspended , SCS

URI

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=2328558&docId=365245
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/99658

Collections

研究計畫;;Research Plans