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多位元電阻切換記憶體元件與陣列
多位元電阻切換記憶體元件與陣列
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201320323.pdf
(593.49 KB)
Date
2013-05-16
Authors
侯拓宏
吳仕傑
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
DOI
Abstract
本發明提供一種多位元電阻切換記憶體元件及陣列。每一記憶體元件可形成多個導通路徑,導通路徑彼此獨立,且任一導通路徑之電阻可為高電阻狀態或低電阻狀態,而形成多位元電阻切換記憶體元件。利用多位元電阻切換記憶體元件排列而成之陣列,可提供結構簡單、高密度、高效能以及低成本的記憶體裝置。
Description
Keywords
Citation
URI
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/103279
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