半導體量子點之成長與物性分析

Abstract

本計畫將以三年的時間，研究半導體量子點之成長與物性分析，共分為四個研究子題，探討（1）稀磁性半導體奈米結構隨壓力變化之光電特性；（2）二六族稀磁性量子環的製作與磁光特性分析；（3）氮化銦薄膜與量子點製作與光電特性分析；（4）單量子點奈米偵側器研究 。 （1） 利用低溫高壓的技術，搭配拉曼光譜、光激螢光頻譜、時間解析光譜和磁光頻譜的研究來探討稀磁性半導體奈米結構隨壓力變化之光電特性。 （2） 利用分子束磊晶技術成長穩定的以及不穩定的硒化(錳)鎘/硒化鋅量子點結構，研究部份覆蓋層造成量子點結構變化之動力學機制。並進一步製作硒化(錳)鎘/硒化鋅量子環結構。在外加磁場下進行各種光譜實驗，研究磁場變化下稀磁性量子環光性的改變。 （3） 藉由週期性流量調製磊晶法製作低載子濃度的氮化銦薄膜，並進一步探究氮化銦奈米粒子的成長動力學。 （4） 利用有機和無機的材料作量子點的表面改質來改善量子點的螢光性質，進而減少螢光閃爍的現像。藉由觀察量子點螢光強度及時間常數隨著螢光共振能量轉移的交亙作用的變化，實際評估是否單一量子點和金奈米粒子或不同波長的量子點對可以當理想的奈米級偵側器？