薄閘氧化層深次微米n-MOS元件的熱載子可靠性分析
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熱載子 , 可靠度 , 氧化層 , 金氧半場效電晶體 , 深次微米 , 洩漏電流 , Hot carrier , Reliability , Oxided larger , MOSFET , Deep submicrometer , Leakage current