多波長發光元件之奈米粒結構及其製法

Abstract

本發明提供一種具有奈米粒之多波長發光元件結構及製法，主要特徵係該發光元件結構具有多層堆疊主動層，該主動層之每一對堆疊層包含低能隙位能井層4與高能隙位能障層3，該多層堆疊主動層內至少一堆疊層內具有奈米粒結構，其中該多層堆疊主動層所發光波長可由堆疊層內部分(或全部)含奈米粒之發光波長；或堆疊層內部分(或全部)不含奈米粒之發光波長所組成。另一種結構中，多層堆疊主動層結構之部份(或全部)發光波長用以激發一種(含)以上螢光波長之螢光體，此結構(如：螢光轉換發光元件結構)之發光波長可以由部分多層堆疊主動層本身發光與部分(或全部)螢光體之發光組成。