三五族氮化合物半導體薄膜之物理特性研究---子計畫III：三五族氮化合物半導體物理特性以及電性量測分析與研究

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Date

Authors

Keywords

氮化合物 , 金屬有機化學蒸鍍法 , 深層能階 , 異質接面 , Nitride , Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) , Deep level , Heterojunction

URI

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=426255&docId=76117
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/94559

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研究計畫;;Research Plans