三維互補式金屬氧化物半導體元件

Abstract

本發明提供一種三維互補式金屬氧化物半導體元件,其包含有一底部晶圓,其上形成含有一應力製程的第一型金屬氧化物半導體(MOS);一採面對面或背對面堆疊於底部晶圓上方之頂部晶圓,其上形成一含有應力製程且正對第一型MOS的第二型MOS與數個金屬襯墊,頂部晶圓內形成有數個連接至金屬襯墊的TSV;以及一混合式接合層,其位於底部晶圓與頂部晶圓間且包含有金屬接合區與非金屬接合區,金屬接合區是用以電性連接第一與第二型MOS至TSV,非金屬接合區是填充於金屬接合區外的剩餘空間,以接合底部晶圓與頂部晶圓。