包含有具優選方向成長之ＣｕＳｎ晶粒之電性連接結構及其製備方法

Abstract

本發明係有關於一種包含有具優選方向成長之Cu6Sn5晶粒之電性連接結構及其製備方法。本發明之電性連接結構之製備方法，包括步驟：(A)提供一第一基板；(B)於第一基板之部分表面形成一第一奈米雙晶銅層；(C)使用一銲料將第一基板與一第二基板連接，第二基板具有一第二電性墊，第二電性墊包括第二奈米雙晶銅層，且銲料係配置於第一及第二奈米雙晶銅層之間；以及(D)以200℃至300℃的溫度進行迴焊(reflow)使銲料部分轉換為一介金屬化合物(intermetallic compound,IMC)層，且介金屬化合物層係包括具優選方向(preferred orientation)成長之Cu6Sn5晶粒；其中，第一及第二奈米雙晶銅層之50%以上的體積係分別包括雙晶銅晶粒。