深次微米元件研製及特性分析

Date

Authors

Keywords

深次微米 , 金氧半導體電晶體 , 短通道效應 , SOI基片 , Deep submicron , MOS transistor , Short channel effect , SOI substrate

URI

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=278795&docId=50196
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/95480

Collections

研究計畫;;Research Plans