深次微米CMOS元件之複晶矽介電層與閘極氧化層之技術開發

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Authors

Keywords

深次微米 , 複晶矽 , 介電層 , 閘極氧化層 , 互補式金氧半導體 , Deep submicron , Polysilicon , Dielectric layer , Gate oxide , CMOS

URI

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=444190&docId=80439
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/94461

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研究計畫;;Research Plans