半導體裝置結構

Abstract

本揭露提供半導體裝置結構及其形成方法。半導體裝置結構包括源極結構，至少位於半導體基底內。半導體裝置結構也包括通道結構，位於半導體基底上。源極結構被通道結構局部地覆蓋。半導體裝置結構還包括汲極結構，覆蓋通道結構。汲極結構及源極結構具有不同的導電類型。通道結構的一部分夾設於源極結構與汲極結構之間。再者，半導體裝置結構包括閘極堆疊，局部地覆蓋通道結構。