化學氣相沈積氧化鉭在Noble金屬電極之動態隨機存取記憶體電容器之研究

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Date

Authors

Keywords

氧化鉭 , 動態隨機存取記憶體 , 化學氣相沈積法 , 記憶體元件 , 電容器 , Tantalum oxide , DRAM , CVD , Memory device , Capacitor

URI

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=444202&docId=80442
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/94447

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研究計畫;;Research Plans