金氧半電晶體內界面缺陷所產生汲極漏電流的物理機制與實驗量測

Date

Authors

Keywords

界面缺陷 , 汲極漏電流 , 物理機制 , 模擬 , 金氧半場效電晶體 , Interface trap , Drain leakage current , Physical mechanism , Simulation , MOSFET

URI

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=230199&docId=41827
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/95790

Collections

研究計畫;;Research Plans