次微米互補式金氧半靜電放電及鎖定之實驗研究及防制

Date

Authors

Keywords

靜電放電 , 鎖定 , 基座偏壓產生器 , 次微米超大型積體電路 , ESD , Latch-up , Substrate bias generator , Submicron VLSI

URI

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=234622&docId=43069
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/95770

Collections

研究計畫;;Research Plans