半導體製程方法

Abstract

本發明提供一種半導體製程方法,包含下列步驟:提供一成長基板;在該成長基板上形成一半導體基板;在該半導體基板與該成長基板之間形成一第一凹凸結構;以及改變該成長基板與該半導體基板的溫度。