利用晶體成長過濾基板而進行鎳誘發非晶矽結晶

Abstract

本發明關於利用鎳誘發非晶矽結晶方法而製造出大的多晶矽顆粒，其利用背面預先鍍上Ni之矽晶圓當做Ni的晶種層以控制Ni擴散的數量，及採取壓印技術以控制多晶矽成長之成核位置，而製造出大的多晶矽顆粒。