利用氘化及氮化處理製備高可靠性薄閘氧化層深次微米NMOS元件

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Date

Authors

Keywords

金氧半導體 , 熱載子可靠性 , 深次微米 , 界面特性化 , 氮化閘極氧化層 , 氘氣回火製程 , MOS , Hot carrier reliability , Deep submicrometer , Interface characterization , Nitrided gate oxide , Deuterium annealing

URI

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=542146&docId=99594
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/101648

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研究計畫;;Research Plans