Title: 串接式之高電子遷移率電晶體元件及其製造方法
Authors: 張翼
許恒通
Issue Date: 1-May-2012
Abstract: 一種串接式之高電子遷移率電晶體元件的製造方法,該方法係利用製程中定義出多個高電子遷移率電晶體,並以內連接的方式將所述高電子遷移率電晶體進行串接。因此,在等效電路上可達到累加電壓的效果,故可形成具有高崩潰電壓特性的元件。
Gov't Doc #: H01L021/8232
H01L021/335
H01L027/085
H01L029/778
URI: http://hdl.handle.net/11536/103461
Patent Country: TWN
Patent Number: 201218319
Appears in Collections:Patents


Files in This Item:

  1. 201218319.pdf

If it is a zip file, please download the file and unzip it, then open index.html in a browser to view the full text content.