氮化鎵電晶體的製作方法

Abstract

本發明提供一種氮化鎵電晶體的製作方法，包含一準備步驟、一開口形成步驟、一離子佈植步驟、一介電層形成步驟、一源/汲極沉積步驟，及一閘極沉積步驟，首先準備一含N型氮化鎵系半導體材料的半導體磊晶層，於該半導體磊晶層上形成一定義出一開口的遮覆層，接著對該半導體磊晶層進行P型離子佈植，於該半導體磊晶層形成一摻雜區，再於該半導體磊晶層表面沉積一層由高介電常數材料構成的介電層，之後於該半導體磊晶層表面對應該摻雜區兩側形成一源極及一汲極，再於對應該摻雜區上方的介電層表面形成一閘極，即可完成該氮化鎵電晶體的製作。