Title: | 新雙射極擴散雙極性電體的製造技術及理論 |
Authors: | 黃念祖 Huang, Nian-Zu 吳慶源 Wu, Qing-Yuan 電子研究所 |
Keywords: | 電子工程;ELECTRONIC-ENGINEERING |
Issue Date: | 1975 |
Abstract: | 本文提供一種新雙極性電晶的製造技術及其理論的基礎,此種雙極性電晶體被 稱為雙射極擴散電晶體。雙射極電晶體的主要構造是利用二個射極擴散的方法,產 生高低射極摻雜濃度以提高電晶體的則極注入效率,其中第一射極共較低的濃度, 因而降低能隙的縮小效應;第二射極具有較高的濃度,因而增加對其極注入到射極 的反射電場,並且降低基極的電流。雙射極電晶體技術的基本好處有: (1)很容 易獲得超高的電流增益; (2)具有較高的則--基間接面及基--集間接面的崩 潰電壓; (3)較高的頻率響應; (4)很低的雜音; (5)造簡單,均勻性及收 獲率高; (6)特性更接近理想化之理論。根據上述的優良特性及好處,雙射極電 晶體技術可以推廣運用於功率電晶體,高頻低雜音電晶體,及線性電晶體的製造上 。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT644430002 http://hdl.handle.net/11536/51045 |
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