Title: | 水平排列線狀液晶中電場偏壓之光誘相位光柵 |
Authors: | 沈毓仁 SHEN,YU-REN 王淑霞 WANG,SHU-XIA 光電工程學系 |
Keywords: | 水平排列線狀液晶;非線性光學效應;光極化方向;入射光;繞射光;控制光場;改變電壓;光誘相位光柵 |
Issue Date: | 1990 |
Abstract: | 本文探討水平排列線狀液晶樣品中,簡併四波混合之產生機制及相關效應。 當在接近臨界電場偏壓增強下,光場誘發分子轉向可以得到相當大的非線性光學效應 。針對此討論了光極化方向、入射光強度及外加電壓對一階自我繞射光之影響及光強 度比、入射光強度及外加電壓對弱光大增益之影響。 在理論上由自由能最小出發,計算在電場增強下,光場誘發分子轉向所造成之相位光 柵及所產生之繞射光強度。首先在一階自我繞射光,當考慮入射光極化方向與未加任 何外場之分子軸有夾角時,在固定弱入射光場及電場作用下,一階自我繞射光在夾角 為零其強度最大。但於強入射光場作用下,相應於夾角的變化,一階自我繞射光最大 強度發生時的夾角不再是零,而會隨著入射光場強度增強而增加。 在弱光放大,則加入散射效應之計算,在固定入射強光強度下,隨著入射光強度比的 增加,最大弱光放大的增益會隨之增加而趨向一飽和值;但在入射光強度比固定時, 隨著總入射光強度的增加,最大弱光放大的增益會隨之增加。 在實驗上則以控制光場、改變電壓及其他因子,將實驗結果與數值計算所得做一比較 ,在弱入射光場時,在特性上頗為吻合,至於在強光場部分,因儀器、裝置所限還無 法做進一步印證。 |
URI: | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT792124011 http://hdl.handle.net/11536/55198 |
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