| 标题: | 以半導體量子點加強螢光效率之高分子發光二極體 |
| 作者: | 韋光華 周嘉宏 |
| 公开日期: | 1-十一月-2006 |
| 摘要: | 本發明為提供可製成高分子發光二極體之奈米複材，而奈米複材是導入具表面改質之硫化鎘(量子點)於樹枝狀聚茀發光高分子而形成，並可有效地提升螢光發光效率及電激光效率，製成發光二極體元件後亦能增加元件之穩定性及電性。 |
| 官方说明文件#: | C09K011/06 H05B033/14 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/106301 |
| 专利国: | TWN |
| 专利号码: | I265192 |
| 显示于类别： | Patents |
文件中的档案：
If it is a zip file, please download the file and unzip it, then open index.html in a browser to view the full text content.
Loading...