标题: 包含有具优选方向成长之CuSn晶粒之电性连接结构及其制备方法
作者: 陈智
林汉文
公开日期: 11-三月-2015
摘要: 本发明系有关于一种包含有具优选方向成长之Cu6Sn5晶粒之电性连接结构及其制备方法。本发明之电性连接结构之制备方法,包括步骤:(A)提供一第一基板;(B)于第一基板之部分表面形成一第一奈米双晶铜层;(C)使用一焊料将第一基板与一第二基板连接,第二基板具有一第二电性垫,第二电性垫包括第二奈米双晶铜层,且焊料系配置于第一及第二奈米双晶铜层之间;以及(D)以200℃至300℃的温度进行回焊(reflow)使焊料部分转换为一介金属化合物(intermetallic compound,IMC)层,且介金属化合物层系包括具优选方向(preferred orientation)成长之Cu6Sn5晶粒;其中,第一及第二奈米双晶铜层之50%以上的体积系分别包括双晶铜晶粒。
官方说明文件#: H01L023/48
H01L023/488
URI: http://hdl.handle.net/11536/122896
专利国: TWN
专利号码: I476878
显示于类别:Patents


文件中的档案:

  1. I476878.pdf

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