| 标题: | 半导体元件之内连接结构 |
| 作者: | 陈冠能 张耀仁 |
| 公开日期: | 1-十二月-2015 |
| 摘要: | 一种半导体元件之内连接结构，架构于一半导体基材内，该内连接结构包括：一第一矽晶直通孔，贯穿该半导体基材；以及一第二矽晶直通孔，贯穿该半导体基材，该第一矽晶直通孔与该第二矽晶直通孔相互间隔一距离，其中，该第一矽晶直通孔与该第二矽晶直通孔相互电性绝缘，且该距离介于2μm以及40μm之间。 |
| 官方说明文件#: | H01L023/52 H01L021/768 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/128817 |
| 专利国: | TWN |
| 专利号码: | I511257 |
| 显示于类别： | Patents |
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