标题: 超高真空化学气相沈积低温新颖复晶矽薄膜电晶体之制作与可靠度分析---子计画II:退火制程对超高真空化学气相沈积法成长之复晶矽薄膜结构的影响与退火复晶矽薄膜电晶体的制作
Annealing Effects on UHVCVD Polysilicon Thin-Film Structure and Fabrication of Annealed Polysilicon TFT
作者: 冯明宪
交通大学材料科学与工程研究所
关键字: 超高真空;化学气相沈积法;多晶矽;准分子雷射;快速退火;薄膜电晶体;Ultra high vacuum (UHV);Chemical vapor deposition (CVD);Polysilicon;Excimer laser;Rapid thermal annealing;Thin film transistor (TFT)
公开日期: 1999
官方说明文件#: NSC88-2215-E009-049
URI: http://hdl.handle.net/11536/94429
https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=444252&docId=80454
显示于类别:Research Plans