矽鍺源/汲極金氧半電晶體及電感在射頻應用之研究(I)

標題:	矽鍺源/汲極金氧半電晶體及電感在射頻應用之研究(I) A Study on SiGe Source/Drain MOSFET and Inductor for RF Applications (I)
作者:	張俊彥 CHANG CHUN-YEN 交通大學電子工程系
關鍵字:	鍺化矽;金氧半場效電晶體;電感;射頻;SiGe;MOSFET;Inductor;Radio frequency
公開日期:	2000
官方說明文件#:	NSC89-2215-E009-070
URI:	http://hdl.handle.net/11536/101194 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=542173&docId=99602
顯示於類別：	研究計畫