Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.author蔡培信en_US
dc.contributor.authorCai, Pei-Xinen_US
dc.contributor.author吳慶源en_US
dc.contributor.authorWu, Qing-Yuanen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:02:38Z-
dc.date.available2014-12-12T02:02:38Z-
dc.date.issued1982en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT714428009en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/51729-
dc.description.abstract本文以電流一電場特性為基礎,發展出一複晶矽氧化層電氣特性的模擬模型,其中複 晶矽氧化之突出增強及陷井機構均考慮在內。根據此型,複晶矽氧層之電流一時間特 性亦合理地模擬。 根據實際跡象顯示,此簡單模型除能強化陷阱機構,並能判別可作為電視劃記憶元件 及線路計時預估之設計工具。 另外,對於不同幾何大小造完成的可電規劃記憶元件,亦加予計測及探討,其中包括 寫入脈波寬度對元件臨界電壓改變量及記憶時間特性之影響。由顯示,複晶矽氧化層 內之捕捉機構對於記憶元件是扮演很重要的角色。並且,記憶元件性能與複晶矽氧化 層品質之關係亦加以探討。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject複晶矽氧化層zh_TW
dc.subject電氣特性zh_TW
dc.subject模擬模型zh_TW
dc.subject電規劃記憶元件zh_TW
dc.subject元件zh_TW
dc.subject線路計時zh_TW
dc.subject記憶元件zh_TW
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title複晶矽氧化層電氣特性的模擬模型及可電規劃僅讀記憶元件之分析zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
Appears in Collections:Thesis