隨機記憶體用超薄氧化鉭介電薄膜電容之研發

Title:	隨機記憶體用超薄氧化鉭介電薄膜電容之研發 Ultra Thin Ta/sub 2/O/sub 5/ Film Capacitor for DRAM
Authors:	林鵬 LIN PANG 交通大學材料科學與工程系
Keywords:	動態隨機存取記憶體;介電常數;薄膜;電容;濺渡;DRAM;Dielectric constant;Thin film;Capacitor;Sputtering
Issue Date:	2000
Gov't Doc #:	NSC89-2215-E009-027
URI:	http://hdl.handle.net/11536/88478 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=525776&docId=95664
Appears in Collections:	Research Plans

APA	林., & LIN P. (2000). 隨機記憶體用超薄氧化鉭介電薄膜電容之研發. https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=525776&docId=95664.
Bibtex	@article{2000, title={隨機記憶體用超薄氧化鉭介電薄膜電容之研發}, author={林鵬 and LIN PANG}, journal={https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=525776&docId=95664}, year={2000}, url={https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/88478}, }