標題: | GaNAs與GaInNAs的磊晶成長與特性研究 Epitaxial Growth and Characterization Study of GaNAs and GaInNAs |
作者: | 李威儀 LEE WEI-I 交通大學電子物理系 |
關鍵字: | 氮砷化鎵;氮砷化銦鎵;砷化鎵;有機金屬氣相磊晶法;深能階缺陷;長波長雷射;量子井;GaNAs;GaInNAs;GaAs;Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD);Deep level defect;Long-wavelength laser;Quantum well;Dimethylhydrazine (DMHy);DLT |
公開日期: | 2000 |
官方說明文件#: | NSC89-2112-M009-011 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/90008 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=523567&docId=95079 |
顯示於類別: | 研究計畫 |