採用高層次操作模式及閘氧化層的高性能及可靠性SONOS快閃記憶體之研究(II)

標題:	採用高層次操作模式及閘氧化層的高性能及可靠性SONOS快閃記憶體之研究(II) Operation Schemes and Advanced on Gate Stacks for High Performance and Reliable SONOS Flash Memory(II)
作者:	莊紹勳 Chung Steve S 交通大學電子工程系
公開日期:	2005
官方說明文件#:	NSC94-2215-E009-008
URI:	http://hdl.handle.net/11536/90760 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=1143847&docId=219367
顯示於類別：	研究計畫