超高真空化學氣相沈積低溫新穎複晶矽薄膜電晶體之製作與可靠度分析---子計畫II：退火製程對超高真空化學氣相沈積法成長之複晶矽薄膜結構的影響與退火複晶矽薄膜電晶體的製作

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Authors

Keywords

超高真空 , 化學氣相沈積法 , 多晶矽 , 準分子雷射 , 快速退火 , 薄膜電晶體 , Ultra high vacuum (UHV) , Chemical vapor deposition (CVD) , Polysilicon , Excimer laser , Rapid thermal annealing , Thin film transistor (TFT)

URI

https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=444252&docId=80454
https://ir.lib.nycu.edu.tw/handle/11536/94429

Collections

研究計畫;;Research Plans