AlGaN/GaN之低壓有機金屬化學氣相磊晶成長與分析及藍光LED之研製

標題:	AlGaN/GaN之低壓有機金屬化學氣相磊晶成長與分析及藍光LED之研製 Growth and Characterization of AlGaN/GaN and Blue LED Fabrication
作者:	馮明憲交通大學材料科學工程研究所
關鍵字:	有機金屬化學氣相磊晶成長;藍色發光二極體;氮化鎵;發光二極體;MOCVD;Blue LED;GaN;LED;AlGaN
公開日期:	1993
摘要:	本計畫針對寬能隙□-V族化合物AlGaInN,材料的磊晶成長,分析及在光電元件上面的應用加以研究,探討.因為調整Al,Ga和In的比例,可以使Al/sub 1-x- y/Ga/sub x/In/sub y/N的能隙由2eV完整到6.2eV(見圖1),即由黃色光到紫外光的波長範圍.由於發光二極體及雷射的應用日益增加,如何能發射出短波長的可見光,是當今一個重要的課題.本計畫第一年度, 預計先從氮化鎵的低壓有機金屬化學氣相磊晶成長(LP-MOCVD)著手,因為這是Al/sub1-x-y/Ga/sub x/In/sub y/ N四元磊晶成長的基礎,其最大目標在取得氮化鎵磊晶成長在氧化鋁基板上,晶格匹配時的成長條件,如溫度,流量,AlN(GaN)的緩衝層的厚度等的資料, 並進而從事N型和P型摻雜的研究,可能採用新的MO Source,期望能有突破性的發展,同時從事簡單的P-N 接面發光二極體的研製.第二年則以四元Al/sub 1-x- y/Ga/sub x/In/sub y/N化合物的磊晶成長為主,主要在尋找適當的X,Y值,以得到和氧化鋁基板晶格匹配的化合物,並研究異質磊晶成長的控制,以及從事異質磊晶發光二極體及雷射二極體的研製.
官方說明文件#:	NSC82-0417-E009-348
URI:	http://hdl.handle.net/11536/97855 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=65409&docId=9660
Appears in Collections:	Research Plans