Browsing by Author "Bing-Yue Tsui"

Now showing 1 - 1 of 1

電漿淺層佈植技術應用於提昇半導體元件特性研究
(2009)
崔秉鉞
;
Bing-Yue Tsui
;
國立交通大學電子工程學系
金氧半場效電晶體持續微縮下，會遭遇到二大問題，一是短通道效應造成元件特性劣化，二是源極與汲極兩端的寄生串連阻抗增加。短通道效應解決方法之一是在源極與汲極兩端製作超淺接面。而解決因源極與汲極兩端的串連阻抗增加的方法，則是必須靠自動對準金屬矽化物製程技術的研發，包括降低金屬矽化物的電阻率以及接觸電阻率等等，基於許多優點，目前所使用的金屬矽化物是矽化鎳，然而矽化鎳的最大問題是其高溫反應時的熱穩定性不佳，高溫下反應會發生結塊現象及晶相轉換機制，造成矽化鎳的電阻增加，故提升矽化鎳的熱穩定性是未來的主要目標。根據眾多文獻探討，可以發現必須要有足夠多的替代位置的碳元素摻雜到矽晶片中，才可以有效抑制雜質的擴散及二次缺陷的產生，且也能透過的碳元素摻雜來提升矽化鎳的熱穩定性，製作出低漏電流的超淺接面，以上是本計畫選擇以碳元素作為佈植元素的主要原因。本計畫是採用新的植入方式，即電漿淺層佈植技術來植入碳元素，與傳統離子佈植機相比，電漿淺層佈植的優點是技術能在短時間內作高劑量的碳摻雜，希望藉此優點，來得到高濃度替代位置的碳摻雜層，應用於超淺接面的製作以及矽化鎳熱穩定性的提升，最終希望能將此技術應用於MOSFET元件或是LTPS-TFT元件的製作技術上。