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BESOI的新製程
(1999)
荊鳳德
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CHIN ALBERT
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交通大學電子工程系
METAL-GATE/HIGH-k/GE MOSFET WITH LASER ANNEALING AND FABRICATION METHOD THEREOF
(2013-02-07)
CHIN ALBERT
The present invention discloses a metal-gate/high-κ/Ge MOSFET with laser annealing and a fabrication method thereof. The fabrication method comprises the following steps: forming a substrate; implanting a source area and a drain area on the substrate; activating the source area and the drain area by first laser light; depositing gate dielectric material on the substrate; annealing high-κ dielectric material by second laser light; and forming a metal gate on the high-κ dielectric material.
下一世代鍺基板電子元件
(2010)
荊鳳德
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CHIN ALBERT
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國立交通大學電子工程學系及電子研究所
下一世代鍺基板電子元件
(2011)
荊鳳德
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CHIN ALBERT
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國立交通大學電子工程學系及電子研究所
下一世代鍺基板電子元件
(2009)
荊鳳德
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CHIN ALBERT
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國立交通大學電子工程學系及電子研究所
下世代單一電晶體動態隨機存取記憶體
(2014)
荊鳳德
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CHIN ALBERT
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國立交通大學電子工程學系及電子研究所
下世代單一電晶體動態隨機存取記憶體
(2015)
荊鳳德
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CHIN ALBERT
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國立交通大學電子工程學系及電子研究所
下世代單一電晶體動態隨機存取記憶體
(2016)
荊鳳德
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CHIN ALBERT
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國立交通大學電子工程學系及電子研究所
互補式場效電晶體元件的高介電質材料電性
(2013)
荊鳳德
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CHIN ALBERT
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國立交通大學電子工程學系及電子研究所
高介電材料已經運用在 45 奈米的互補式場效電晶體、動態隨機存取記憶體與非揮發性記憶體。根據Intel 的共同創造者，高登摩爾的說法「從1960 年後期，高介電材料與金屬閘極材料對傳統使用結晶矽的閘極電晶體有了重大改變」。因此，根據高登摩爾的理論，運用此技術將有可能獲得諾貝爾獎。在之前，我們是使用高介電材料Al2O3 (發表於Intel. MBE Conference 1998；Symp. On VLSI 1999)與 La2O3 (發表於Symp. On VLSI 2000) 當閘極介電材料的先驅。而這兩種高介電材料Al2O3 與La2O3 已經被IBM，AMD，Toshiba，Renseas，IMEC，SEMATECH 等公司並且與HfSiO 整合在Gate-first 製程中，且成功的在32 奈米技術中做出低的「臨界電壓」之n 與p 型互補式場效電晶體。然而，雖然J. Robertson 已經成功的提出電荷轉移模型，不過一些詳細的機制我們還是不了解。儘管我們的研究已經成功提出介面反應所產生的氧空隙缺陷模型，而且東京大學A. Toriumi 已提出的電荷耦極的模型，但是其中的費米能階的札釘效應導致的不理想的高臨界電壓，這也是仍然需要進一步研究的。不幸地，基本的理論將會是微縮等效氧化層厚度(EOT)關鍵。此困難度可以從Intel 45 奈米結點1 奈米的EOT 到32 奈米結點只緩慢的微縮到0.9 奈米。而為了解決此問題，這也是台灣荊鳳德教授實驗室與俄羅斯西伯利亞分學院半導體物理研究所的Gritsenko Vladimir Alexeevich 博士與他的團隊提出此計畫的目的，俄羅斯團隊有很強的物理背景知識，而台灣荊教授實驗室則是對於元件有很強的製作能力，這將是此合作的優勢。我們也將根據物理知識，目標製作出新的元件並解決EOT 無法繼續微縮的問題。因此，也是台俄雙方運用科學與科技整合的優勢。
互補式場效電晶體元件的高介電質材料電性
(2012)
荊鳳德
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CHIN ALBERT
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國立交通大學電子工程學系及電子研究所
高介電材料已經運用在 45 奈米的互補式場效電晶體、動態隨機存取記憶體與非揮發性記憶體。根據Intel 的共同創造者，高登摩爾的說法「從1960 年後期，高介電材料與金屬閘極材料對傳統使用結晶矽的閘極電晶體有了重大改變」。因此，根據高登摩爾的理論，運用此技術將有可能獲得諾貝爾獎。在之前，我們是使用高介電材料Al2O3 (發表於Intel. MBE Conference 1998；Symp. On VLSI 1999)與 La2O3 (發表於Symp. On VLSI 2000) 當閘極介電材料的先驅。而這兩種高介電材料Al2O3 與La2O3 已經被IBM，AMD，Toshiba，Renseas，IMEC，SEMATECH 等公司並且與HfSiO 整合在Gate-first 製程中，且成功的在32 奈米技術中做出低的「臨界電壓」之n 與p 型互補式場效電晶體。然而，雖然J. Robertson 已經成功的提出電荷轉移模型，不過一些詳細的機制我們還是不了解。儘管我們的研究已經成功提出介面反應所產生的氧空隙缺陷模型，而且東京大學A. Toriumi 已提出的電荷耦極的模型，但是其中的費米能階的札釘效應導致的不理想的高臨界電壓，這也是仍然需要進一步研究的。不幸地，基本的理論將會是微縮等效氧化層厚度(EOT)關鍵。此困難度可以從Intel 45 奈米結點1 奈米的EOT 到32 奈米結點只緩慢的微縮到0.9 奈米。而為了解決此問題，這也是台灣荊鳳德教授實驗室與俄羅斯西伯利亞分學院半導體物理研究所的Gritsenko Vladimir Alexeevich 博士與他的團隊提出此計畫的目的，俄羅斯團隊有很強的物理背景知識，而台灣荊教授實驗室則是對於元件有很強的製作能力，這將是此合作的優勢。我們也將根據物理知識，目標製作出新的元件並解決EOT 無法繼續微縮的問題。因此，也是台俄雙方運用科學與科技整合的優勢。
互補式場效電晶體元件的高介電質材料電性
(2011)
荊鳳德
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CHIN ALBERT
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國立交通大學電子工程學系及電子研究所
高介電材料已經運用在 45 奈米的互補式場效電晶體、動態隨機存取記憶體與非揮發性記憶體。根據Intel 的共同創造者，高登摩爾的說法「從1960 年後期，高介電材料與金屬閘極材料對傳統使用結晶矽的閘極電晶體有了重大改變」。因此，根據高登摩爾的理論，運用此技術將有可能獲得諾貝爾獎。在之前，我們是使用高介電材料Al2O3 (發表於Intel. MBE Conference 1998；Symp. On VLSI 1999)與 La2O3 (發表於Symp. On VLSI 2000) 當閘極介電材料的先驅。而這兩種高介電材料Al2O3 與La2O3 已經被IBM，AMD，Toshiba，Renseas，IMEC，SEMATECH 等公司並且與HfSiO 整合在Gate-first 製程中，且成功的在32 奈米技術中做出低的「臨界電壓」之n 與p 型互補式場效電晶體。然而，雖然J. Robertson 已經成功的提出電荷轉移模型，不過一些詳細的機制我們還是不了解。儘管我們的研究已經成功提出介面反應所產生的氧空隙缺陷模型，而且東京大學A. Toriumi 已提出的電荷耦極的模型，但是其中的費米能階的札釘效應導致的不理想的高臨界電壓，這也是仍然需要進一步研究的。不幸地，基本的理論將會是微縮等效氧化層厚度(EOT)關鍵。此困難度可以從Intel 45 奈米結點1 奈米的EOT 到32 奈米結點只緩慢的微縮到0.9 奈米。而為了解決此問題，這也是台灣荊鳳德教授實驗室與俄羅斯西伯利亞分學院半導體物理研究所的Gritsenko Vladimir Alexeevich 博士與他的團隊提出此計畫的目的，俄羅斯團隊有很強的物理背景知識，而台灣荊教授實驗室則是對於元件有很強的製作能力，這將是此合作的優勢。我們也將根據物理知識，目標製作出新的元件並解決EOT 無法繼續微縮的問題。因此，也是台俄雙方運用科學與科技整合的優勢。
低功耗鍺電晶體及快取元件
(2016)
荊鳳德
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CHIN ALBERT
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國立交通大學電子工程學系及電子研究所
低功耗鍺電晶體及快取元件
(2015)
荊鳳德
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CHIN ALBERT
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國立交通大學電子工程學系及電子研究所
全像光學記憶體之紅光源材料、調變器及偵測元件
(1996)
荊鳳德
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CHIN ALBERT
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國立交通大學電子工程學系
分子束磊晶在低維量子元件的應用
(1995)
荊鳳德
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CHIN ALBERT
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國立交通大學電子工程研究所
單一電晶體記憶元件
(2001)
荊鳳德
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CHIN ALBERT
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交通大學電子工程系
學研合作計畫---次22奈米金屬閘極/高介電質場效電晶體及記憶體技術平台(III)
(2013)
荊鳳德
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CHIN ALBERT
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國立交通大學電子工程學系及電子研究所
學研合作計畫-次22奈米金屬閘極/高介電質場效電晶體及記憶體技術平台( I )
(2011)
荊鳳德
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CHIN ALBERT
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國立交通大學電子工程學系及電子研究所
我們已經製作出在磊晶Ge/Si基板上之高介電係數TaN/TiLaO/SiO2的n型金氧半場效電晶體(n-MOSFET)，並且研究具有不同GeO2和SiO2界面層的關係。具有超薄GeO2的電晶體界面顯示了較差的特性，較大1.1奈米的「等效氧化層厚度」，和不良的電容-電壓遲滯(93 mV)。從橫截面「透射電子顯微鏡」，「二次離子質譜儀」和「X射線光電子能譜」的分析，使用超薄GeO2界面層的元件性能退化，乃由於550℃快速熱退火後，Ge嚴重的向外擴散，界面GeO2的退化，以及閘極介電層增厚。Ge使用超薄SiO2界面層的n型場效電晶體具有3.3 F/cm2極大的電容密度，極小0.81奈米的「等效氧化層厚度」，大幅改善的電容-電壓遲滯(19 mV)，在有良好的遷移率201 cm2/Vs於0.5 MV/cm電場，以及非常低的關閉漏電流3.5×10-10 A/m。此Ge場效電晶體乃是使用及傳統閘極優先的製程、自我對準的離子佈植、550℃快速熱退火處理的方法，和當前的超大規模積體電路(VLSI)製造方法完全相容。
學研合作計畫－次22奈米金屬閘極/高介電質場效電晶體及記憶體技術平台( II )
(2012)
荊鳳德
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CHIN ALBERT
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國立交通大學電子工程學系及電子研究所
寄生氧化層對具有原子層平坦之超薄氧化層的影響
(2000)
荊鳳德
;
CHIN ALBERT
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交通大學電子工程系