<link rel="stylesheet" href="styles.cf390c6bfbe7555f.css">

Browsing by Author "Chen Yu-Chang"

Now showing 1 - 13 of 13
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    BIO-NANOWIRE DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
    (2014-03-20)
    Chang Chia-Ching
    ;
    Jian Wen-Bin
    ;
    Chen Yu-Chang
    ;
    Yuan Chiun-Jye
    ;
    Gu Frank
    A bio-nanowire device includes a substrate having a first surface, a first conductor, a second conductor, and a bio-nanowire. The first and second conductors are disposed on the first surface of the substrate, and are spaced apart from each other. The bio-nanowire has two ends respectively connected to the first and second conductors, and includes a nucleic acid molecule having two nucleotide segments, and a plurality of metal ions bonded between the two nucleotide segments of the nucleic acid molecule. The two nucleotide segments form a double helix structure via base pairs. When a voltage or a current is applied to the bio-nanowire, the oxidation state of the metal ions can be changed such that the non-linear electroconductive characteristic of the bio-nanowire can be controlled.
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    以第一原理方式研究原子分子接面系統的多體效應對量子輸運性質的影響
    (2016)
    陳煜璋
    ;
    Chen Yu-Chang
    ;
    國立交通大學電子物理學系（所）
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    以第一原理方式研究原子分子接面系統的多體效應對量子輸運性質的影響
    (2014)
    陳煜璋
    ;
    Chen Yu-Chang
    ;
    國立交通大學電子物理學系（所）
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    以第一原理方式研究原子分子接面系統的多體效應對量子輸運性質的影響
    (2015)
    陳煜璋
    ;
    Chen Yu-Chang
    ;
    國立交通大學電子物理學系（所）
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    原子分子接面的自旋與非自旋電子與熱流輸運性質與熱電效應
    (2011)
    陳煜璋
    ;
    Chen Yu-Chang
    ;
    國立交通大學電子物理學系（所）
    本研究計畫以第一原理計算方式，研究原子分子接面的電子與熱流的非平衡態量子輸運性質。主要的研究方法是在密度泛函理論與非平衡態輸運理論(DFT + Lippmann-Schwinger equation)的計算架構下，結合多體物理理論，探討分子接面系統的量子輸運性質與所伴隨的多體物理現象。奈米接面的模型是由兩個半平面無窮大的電極與中間所夾由原子或分子所構成。其中電極部分是以凝膠模型為基礎透過自洽運算求解，偏壓則是由左右電極的化學位所決定。從左與右側電極入射的電子，被中間所夾的原子或分子所散射，此效應則是在DFT + Lippmann-Schwinger equation的架構下做自洽計算得到。 我們的研究子題包含原子分子接面的 (1) 電流電壓特徵曲線 (2) 閘極偏壓可調控之電流(電晶體元件)性質 (3)的熱傳導性質(以分子動力學方式模擬) (4) 電子遂穿所引起的力 (5) 量子噪音 (6) 高階電流的相關函數關係的量子干涉行為 (7) 穿遂電子造成分子振動所造成的奈米結構侷域溫度上升效應 (8) 非彈性散射電子穿隧電流電壓頻譜 (9) 熱電效應與熱能電能轉換機制 (10) 新型態的熱電元件例如致冷機以及利用廢熱驅動分子電晶體的理論模型 (11) 電子與分子振動交互作用對以上問題的影響。我們目前的模型與理論計算，已經能夠處理上述之研究子題。原子和分子接面的電子輸運物理的特性和電極所夾的奈米結構有關，個別原子和分子的特性決定大部分的輸運性質。所以本計畫將在既有的基礎上，繼續深入研究不同的原子和分子接面系統與上述子題相關的量子輸運性質。 過去十年，分子電子學和自旋電子學各自平行發展，成為物理與跨領域科學重要的研究課題。本計畫的另一個主要目標則是結合這兩個領域，朝著分子自旋電子學方向邁進。在現有分子電子學的基礎上，引進電子自旋與自旋軌道偶合，開發新程式和新理論架構，研究原子和分子自旋軌道偶合夾在鐵磁電極中間的自旋電子輸運性質。因為分子元件的微小特性有助於保存傳輸電子的自旋，所以分子自旋電子學將來有潛力形成一個新穎且重要的前瞻性研究領域。
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    原子分子接面的自旋與非自旋電子與熱流輸運性質與熱電效應
    (2012)
    陳煜璋
    ;
    Chen Yu-Chang
    ;
    國立交通大學電子物理學系（所）
    本研究計畫以第一原理計算方式，研究原子分子接面的電子與熱流的非平衡態量子輸運性質。主要的研究方法是在密度泛函理論與非平衡態輸運理論(DFT + Lippmann-Schwinger equation)的計算架構下，結合多體物理理論，探討分子接面系統的量子輸運性質與所伴隨的多體物理現象。奈米接面的模型是由兩個半平面無窮大的電極與中間所夾由原子或分子所構成。其中電極部分是以凝膠模型為基礎透過自洽運算求解，偏壓則是由左右電極的化學位所決定。從左與右側電極入射的電子，被中間所夾的原子或分子所散射，此效應則是在DFT + Lippmann-Schwinger equation的架構下做自洽計算得到。 我們的研究子題包含原子分子接面的 (1) 電流電壓特徵曲線 (2) 閘極偏壓可調控之電流(電晶體元件)性質 (3)的熱傳導性質(以分子動力學方式模擬) (4) 電子遂穿所引起的力 (5) 量子噪音 (6) 高階電流的相關函數關係的量子干涉行為 (7) 穿遂電子造成分子振動所造成的奈米結構侷域溫度上升效應 (8) 非彈性散射電子穿隧電流電壓頻譜 (9) 熱電效應與熱能電能轉換機制 (10) 新型態的熱電元件例如致冷機以及利用廢熱驅動分子電晶體的理論模型 (11) 電子與分子振動交互作用對以上問題的影響。我們目前的模型與理論計算，已經能夠處理上述之研究子題。原子和分子接面的電子輸運物理的特性和電極所夾的奈米結構有關，個別原子和分子的特性決定大部分的輸運性質。所以本計畫將在既有的基礎上，繼續深入研究不同的原子和分子接面系統與上述子題相關的量子輸運性質。 過去十年，分子電子學和自旋電子學各自平行發展，成為物理與跨領域科學重要的研究課題。本計畫的另一個主要目標則是結合這兩個領域，朝著分子自旋電子學方向邁進。在現有分子電子學的基礎上，引進電子自旋與自旋軌道偶合，開發新程式和新理論架構，研究原子和分子自旋軌道偶合夾在鐵磁電極中間的自旋電子輸運性質。因為分子元件的微小特性有助於保存傳輸電子的自旋，所以分子自旋電子學將來有潛力形成一個新穎且重要的前瞻性研究領域。
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    原子分子接面的自旋與非自旋電子與熱流輸運性質與熱電效應
    (2013)
    陳煜璋
    ;
    Chen Yu-Chang
    ;
    國立交通大學電子物理學系（所）
    本研究計畫以第一原理計算方式，研究原子分子接面的電子與熱流的非平衡態量子輸運性質。主要的研究方法是在密度泛函理論與非平衡態輸運理論(DFT + Lippmann-Schwinger equation)的計算架構下，結合多體物理理論，探討分子接面系統的量子輸運性質與所伴隨的多體物理現象。奈米接面的模型是由兩個半平面無窮大的電極與中間所夾由原子或分子所構成。其中電極部分是以凝膠模型為基礎透過自洽運算求解，偏壓則是由左右電極的化學位所決定。從左與右側電極入射的電子，被中間所夾的原子或分子所散射，此效應則是在DFT + Lippmann-Schwinger equation的架構下做自洽計算得到。 我們的研究子題包含原子分子接面的 (1) 電流電壓特徵曲線 (2) 閘極偏壓可調控之電流(電晶體元件)性質 (3)的熱傳導性質(以分子動力學方式模擬) (4) 電子遂穿所引起的力 (5) 量子噪音 (6) 高階電流的相關函數關係的量子干涉行為 (7) 穿遂電子造成分子振動所造成的奈米結構侷域溫度上升效應 (8) 非彈性散射電子穿隧電流電壓頻譜 (9) 熱電效應與熱能電能轉換機制 (10) 新型態的熱電元件例如致冷機以及利用廢熱驅動分子電晶體的理論模型 (11) 電子與分子振動交互作用對以上問題的影響。我們目前的模型與理論計算，已經能夠處理上述之研究子題。原子和分子接面的電子輸運物理的特性和電極所夾的奈米結構有關，個別原子和分子的特性決定大部分的輸運性質。所以本計畫將在既有的基礎上，繼續深入研究不同的原子和分子接面系統與上述子題相關的量子輸運性質。 過去十年，分子電子學和自旋電子學各自平行發展，成為物理與跨領域科學重要的研究課題。本計畫的另一個主要目標則是結合這兩個領域，朝著分子自旋電子學方向邁進。在現有分子電子學的基礎上，引進電子自旋與自旋軌道偶合，開發新程式和新理論架構，研究原子和分子自旋軌道偶合夾在鐵磁電極中間的自旋電子輸運性質。因為分子元件的微小特性有助於保存傳輸電子的自旋，所以分子自旋電子學將來有潛力形成一個新穎且重要的前瞻性研究領域。
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    可調閘極對分子接面電路電子傳輸性質的研(I)
    (2006)
    陳煜璋
    ;
    Chen Yu-Chang
    ;
    交通大學電子物理系
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    可調閘極對分子接面電路電子傳輸性質的研究(II)
    (2006)
    陳煜璋
    ;
    Chen Yu-Chang
    ;
    交通大學電子物理系
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    可調閘極對分子接面電路電子傳輸性質的研究(III)
    (2007)
    陳煜璋
    ;
    Chen Yu-Chang
    ;
    國立交通大學電子物理學系(所)
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    奈米接面系統的簡併電子與磁自旋電子的輸運性質
    (2009)
    陳煜璋
    ;
    Chen Yu-Chang
    ;
    國立交通大學電子物理學系(所)
    本研究計畫為三年期的計畫。計畫內容區分為兩部分：第一部分是分子電子學的 研究。以我們過去所發展關於分子電子學第一原理計算與多體理論作為研究基礎，繼續 探討奈米接面系統的電子傳輸性質，如閘極效應、local heating, shot noise, inelastic current, current induced force 等多體效應，並進一步研究分子電晶體的可行性與機制。第二部分 是分子自旋電子學的研究。我們計畫將我們目前分子自旋簡併系統的理論和計算，推廣 到分子磁自旋系統的理論和計算。我們計畫將分子系統的金屬電極以磁性金屬電極取 代，並且考慮原子的自旋軌道偶合效應。由於此系統的尺度微小，所以電子自旋容易保 存，加上電子隧穿特性的影響，此系統的TMR (tunneling magnetoresistance)效應預期會 很顯著，這也是我們投入分子系統的自旋電子輸運理論研究的原因。我們預期此系統是 有潛力應用於奈米級磁自旋電子元件的製作，例如spin field effect transistor(SFET)等自 旋電子元件等。我們計畫以密度泛函理論(DFT)計算方式，計算分子電子自旋系統的接 面性質，研究電子磁自旋的輸運性質並探討此新穎系統的多體物理現象。我們將探討磁 自旋分子元件的物理機制與材料特性，朝著分子磁自旋電子元件設計的方向努力。奈米 接面系統的電子磁自旋輸運性質，這是一個非常新穎的研究領域，需要開發新的理論與 程式，是非常有趣且具挑戰性的研究工作。
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    奈米接面系統的簡併電子與磁自旋電子的輸運性質
    (2010)
    陳煜璋
    ;
    Chen Yu-Chang
    ;
    國立交通大學電子物理學系（所）
    本研究計畫為三年期的計畫。計畫內容區分為兩部分：第一部分是分子電子學的 研究。以我們過去所發展關於分子電子學第一原理計算與多體理論作為研究基礎，繼續 探討奈米接面系統的電子傳輸性質，如閘極效應、local heating, shot noise, inelastic current, current induced force 等多體效應，並進一步研究分子電晶體的可行性與機制。第二部分 是分子自旋電子學的研究。我們計畫將我們目前分子自旋簡併系統的理論和計算，推廣 到分子磁自旋系統的理論和計算。我們計畫將分子系統的金屬電極以磁性金屬電極取 代，並且考慮原子的自旋軌道偶合效應。由於此系統的尺度微小，所以電子自旋容易保 存，加上電子隧穿特性的影響，此系統的TMR (tunneling magnetoresistance)效應預期會 很顯著，這也是我們投入分子系統的自旋電子輸運理論研究的原因。我們預期此系統是 有潛力應用於奈米級磁自旋電子元件的製作，例如spin field effect transistor(SFET)等自 旋電子元件等。我們計畫以密度泛函理論(DFT)計算方式，計算分子電子自旋系統的接 面性質，研究電子磁自旋的輸運性質並探討此新穎系統的多體物理現象。我們將探討磁 自旋分子元件的物理機制與材料特性，朝著分子磁自旋電子元件設計的方向努力。奈米 接面系統的電子磁自旋輸運性質，這是一個非常新穎的研究領域，需要開發新的理論與 程式，是非常有趣且具挑戰性的研究工作。
  • Thumbnail Image
    Item type:Item,
    奈米接面系統的簡併電子與磁自旋電子的輸運性質
    (2008)
    陳煜璋
    ;
    Chen Yu-Chang
    ;
    國立交通大學電子物理學系(所)
    本研究計畫為三年期的計畫。計畫內容區分為兩部分：第一部分是分子電子學的 研究。以我們過去所發展關於分子電子學第一原理計算與多體理論作為研究基礎，繼續 探討奈米接面系統的電子傳輸性質，如閘極效應、local heating, shot noise, inelastic current, current induced force 等多體效應，並進一步研究分子電晶體的可行性與機制。第二部分 是分子自旋電子學的研究。我們計畫將我們目前分子自旋簡併系統的理論和計算，推廣 到分子磁自旋系統的理論和計算。我們計畫將分子系統的金屬電極以磁性金屬電極取 代，並且考慮原子的自旋軌道偶合效應。由於此系統的尺度微小，所以電子自旋容易保 存，加上電子隧穿特性的影響，此系統的TMR (tunneling magnetoresistance)效應預期會 很顯著，這也是我們投入分子系統的自旋電子輸運理論研究的原因。我們預期此系統是 有潛力應用於奈米級磁自旋電子元件的製作，例如spin field effect transistor(SFET)等自 旋電子元件等。我們計畫以密度泛函理論(DFT)計算方式，計算分子電子自旋系統的接 面性質，研究電子磁自旋的輸運性質並探討此新穎系統的多體物理現象。我們將探討磁 自旋分子元件的物理機制與材料特性，朝著分子磁自旋電子元件設計的方向努力。奈米 接面系統的電子磁自旋輸運性質，這是一個非常新穎的研究領域，需要開發新的理論與 程式，是非常有趣且具挑戰性的研究工作。