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Browsing by Author "Chiou Bi-Shiou"

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    Item type:Item,
    適用於薄膜電晶體的高介電係數絕緣層材料之開發
    (2007)
    邱碧秀
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    Chiou Bi-Shiou
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    本計畫目標為開發適用於薄膜電晶體閘極工程的高介電係數絕緣層材料，包含二 氧化鉿、鈦酸鍶或鈦酸鍶鋇等，對於這些高介電係數材料摻雜入其他物質，如金屬鉻、 二氧化矽、三氧化二鋁等，預期能改善其能帶、電子親和力、結晶溫度或漏電流等材 料物理特性，以符合薄膜電晶體閘極絕緣層的操作需求。本計畫將使用濺鍍法與溶膠 凝膠法來開發此高介電係數絕緣層，現今濺鍍製程在面板廠已廣泛地使用在金屬導線 的沉積上，與濺鍍法比較，溶膠凝膠法可精確地控制高介電係數絕緣層的摻雜成分比 例，且具有快速製程的優點，有助於提升面板廠產線的生產效能。透過以上的研究， 預期具有高介電係數絕緣層的薄膜電晶體，其閘極能有效地控制由複晶矽或非晶矽所 組成的通道區域，降低薄膜電晶體的操作電壓，增加驅動能力，製作出高效能的薄膜 電晶體，以追求更高畫質與低成本的液晶顯示器產品。
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    金屬-鐵電-絕緣-半導體場效應電晶體之開發研究
    (2008)
    邱碧秀
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    Chiou Bi-Shiou
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    國立交通大學電子工程學系及電子研究所
    本計畫目標為開發整合良好的高介電係數閘極絕緣層在金屬-鐵電-絕緣-半導體電 晶體的應用。本計畫將使用溶膠凝膠旋塗法塗佈鐵電材料，及物理氣相沈積來開發高 介電係數閘極絕緣層，使用具有高能隙的二氧化鉿或三氧化二鑭為基礎，摻雜不同成 分與比例的鑭系元素氧化物，預期改善其能帶、電子親和力、拉高結晶溫度、減少基 板注入低漏電流，使鐵電記憶體能整合入互補式金屬-氧化物-半導體的製程中。此外且 具有高介電係數的閘極絕緣層，可被預期降低金屬-鐵電-絕緣-半導體電晶體的操作電 壓，減緩去極化電場效應，在鐵電層中儲存更多的極化電荷，來延長鐵電記憶體的保 存時間，提高做為鐵電非揮發記憶體的可行性。