Browsing by Author "Jin-Gaw Lin"
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Item type:Item, 奈米微氣泡浮除技術於半導體工業化學機械研磨廢水(2003) ;林志高 ;Jin-Gaw Lin國立交通大學環境工程研究所半導體業中之化學機械研磨(Chemical mechanical polishing,CMP)廢水中主要含有奈米級之矽氧化物懸浮微粒,其具有相當穩定分散的能力。目前大部分廠商多利用傳統之化學混凝/沈澱來處理,但這個方法需要建造大面積的沈澱槽,且需要較長的過濾時間來分離。溶解空氣浮除法的原理主要是將水及空氣儲存於高壓桶內。根據 Henry’s law,氣泡與液體的混合液經高壓釋放後,溶解於水中的空氣會再次形成更小的氣泡,在上浮過程中與顆粒接觸達到浮除的效果。本研究中除了應用浮除的技術之外,更加入奈米氣泡生成技術,增加與CMP廢水中二氧化矽等顆粒接觸的機會。實驗的進行並搭配實驗設計,採取2k因子設計及中央合成設計以求取更有代表性的數據及結果。根據資料顯示,單純調整廢水的pH值,是沒有任何的去除效果。而在浮除過程前先行添加活化劑(硫酸鋁或是氯化鐵),以及添加捕集劑(油酸鈉或是CTAB),皆可以有效地去除廢水中的奈米等級微粒。最後發現控制硫酸鋁在285 mg/L左右,CTAB在5 mg/L,可以控制放流水濁度低於5 NTU以下的程度,遠低於法規的標準。最後結果發現搭配奈米氣泡產生器的浮除技術可以對CMP廢水中的微細顆粒進行有效率的去除,但在顆粒與氣泡之間的接觸作用,仍有待進一步的學理探討。